劉益春

劉益春

中國科學院院士
劉益春,男,東北師範大學校長。1963年1月生,1988年6月參加工作,中科院長春物理研究所與意大利都靈工業大學聯合培養凝聚态物理專業在職博士研究生畢業,教授。近年來在國際雜志上發表SCI論文120餘篇,部分論文發表在AdvancedMater.,Appl.Phys.Lett.等高水平雜志上,論文他引2200餘次,單篇最高引用140餘次,H因子為29。2000年獲國務院政府津貼;2001年獲全國模範教師榮譽稱号和獎章;2003年獲中科院優秀“百人計劃”;2007年獲國家傑出青年科學基金。現任東北師範大學校長,吉林省第十三屆人民代表大會教育科學文化衛生委員會副主任委員。[1]2021年11月18日當選中國科學院信息技術科學部院士。[3]
    中文名:劉益春 民族: 出生地: 畢業院校:東北師範大學、中科院長春光學精密機械與物理研究所 學位/學曆: 職業: 專業方向: 職務: 學術代表作: 主要成就:中國科學院信息技術科學部院士 性别:男

人物履曆

1981.09-1985.07東北師範大學物理學院(原物理系)學習,獲理學學士學位。

1985.09-1988.06中科院長春光學精密機械與物理研究所(原長春物理所)凝聚态物理專業攻讀碩士學位研究生,獲理學碩士學位。

1988.07-現在東北師範大學物理學院曆任助教(1988-1990),講師(1990-1992),副教授(1992-1998),教授(1998)。

1992.09-1995.12中科院長春光學精密機械與物理研究所(原長春物理所)與意大利都靈工業大學物理系聯合培養凝聚态物理專業博士研究生,獲博士學位。

1996.04-1997.08日本九州大學先端科學技術研究中心博士後;從事介電薄膜材料與MOS器件的研究工作。

1995.12-1998.05吉林大學化學系博士後,從事納米電子學材料與器件的研究工作。

1999.12-2003.09中國科學院長春光學精密機械與物理研究所百人計劃,從事寬禁帶半導體材料與器件研究。

2003.09-現在中共東北師範大學黨委常委。

2004.01-2012.04東北師範大學副校長。

2012.4.10東北師範大學校長(試用期一年)。

2013.5.24東北師範大學黨委常委會會議決定,劉益春校長擔任校友會會長。

第十三屆全國人民代表大會代表。

職務任免

2020年7月30日吉林省第十三屆人民代表大會常務委員會第二十三次會議通過,任命劉益春為吉林省第十三屆人民代表大會教育科學文化衛生委員會副主任委員。

科研方向

研究主要集中在:光電子功能材料與器件;低維體系材料與物性;存儲材料與器件;納米生物學效應與應用;光電轉化材料與器件;新型導電材料與物性等。

社會兼職

中國科學院激發态物理重點實驗室學術委員會委員,中國科學院長春光學機密機械與物理研究所學位委員會委員,中國物理學會發光專業委員會常委,中國光學學會纖維光學與集成光學專業委員會委員,吉林省物理學會副理事長,長春市物理學會理事長,吉林省第十屆政協委員,吉林省人民政府政務信息化咨詢專家組成員,《發光學報》副主編,《物理實驗》雜志副主編。國家傑出青年科學基金獲得者,中國科學院優秀百人計劃,教育部跨世紀優秀人才,首屆吉林省傑青,吉林省首批拔尖創新人才,全國模範教師,長春市優秀共産黨員。

科研項目

目前主持在研課題3項:

1.“适用于太陽能電池的透明導電薄膜的性能優化和新材料新結構探索(一)”,國家科技部,221萬元,2012-12—2013-12

2.“石墨片及其複合體系的電子結構調制與功能化研究”,國家自然科學基金重點基金,90.0萬元,2009-01—2012-12

3.“基于金屬氧化物/貴金屬複合納米晶中貴金屬等離子體吸收的光存儲性質研究”,國家自然科學基金面上,36萬元,2010-01—2012-12

完成課題情況:

已完成國家自然科學基金傑出青年基金,國家“863”課題,中國科學院百人計劃,國家自然科學基金,教育部重大項目培育等課題12項。

科研成果

主要從事寬禁帶半導體光電子材料與器件的研究工作。針對該領域研究中存在的熱點、難點和基本問題,開展了一些有鮮明特色的創新性研究工作。

發明了熱氧化Zn3N2單晶薄膜制備p型ZnO的方法,成功制備出p型ZnO薄膜,該方法已被國際公認為制備p-ZnO的方法之一;利用微腔的光增益效應和納米結構的量子限制效應,獲得了在高溫下(560 oC)仍具有高效紫外發射的納米薄片材料,深入研究了材料的結構與高壓相變行為,為進一步研制高溫光電子器件奠定了基礎;通過在p-GaN/n-ZnO異質結中引入i-ZnO層, 構造p-GaN/i-ZnO/n-ZnO新型結構,成功研制出室溫近紫外發射的ZnO異質結紫外發光二極管。

發明了電子回旋共振(ECR)微波等離子體氮化制備高質量SiN薄膜的方法;根據縱向光學聲子對P偏振紅外強烈吸收的原理,建立和發展了利用P偏振紅外反射吸收光譜表征超薄SiO2的方法。

在國際上提出了無形變sp2π-Cluster是發光中心的觀點。提出了N進入sp3 網絡引起配位數減少導緻應力釋放的重要結果;提出了N的橋作用以及sp2π-Cluster團簇及其它的各種形變決定能隙的大小;在國際上提出并證實了N進入a-C:H網絡中引起C-H鍵的弱化和網絡的不穩定性。

近年來在Adv. Mater., Phys. Rev. B., J. Phys.Chem.B, J. Chem. Phys., Appl. Phys. Lett, Optics Lett., 等雜志上發表SCI論文150餘篇,發表論文被SCI他引800餘次,獲國家發明專利8項。應邀為美國《納米科學與技術百科全書》撰寫“低維氧化鋅納米結構和納米異質結生長”專題。國内學術會議邀請報告9次,國際學術會議報告8次。

主持國家自然科學基金,中國科學院“百人計劃”項目,國家傑出青年科學基金項目,國家“十一五”“863”課題、國家“十五”“863”子課題、教育部重大創新培育項目等多項課題。

獎勵

1999年入選首屆吉林省傑出青年研究計劃;

2000年獲國務院政府津貼;

2001年獲國家教育部和國家人事部共同頒發的全國模範教師榮譽稱号和獎章;

2001年度獲長春市優秀共産黨員;

2003年獲中國科學院優秀“百人計劃”;

2005年獲吉林省高級專家;

2006年獲教育部自然科學1等獎;

2007年獲教育部高等學校科學技術獎:自然科學獎一等獎1項,第一獲獎人;

2007年獲國家自然科學基金委傑出青年基金;

2009年獲第六屆國家高等教育教學成果二等獎1項,第二獲獎人;

2010年獲吉林省科學技術進步一等獎1項,第一獲獎人。

2020年1月10日,獲得國家自然科學二等獎(項目名稱“低維氧化物半導體同質/異質界面構建與應用基礎研究”,第一完成人)。

2021年11月18日當選中國科學院信息技術科學部院士。

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