什么是LED芯片
也称为LED发光二极管、LED二极管、LED发光芯片,是LED灯的核心组件,也就是指的P-N结。其主要功能是:把电能转化为光能,芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。
历史
50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,1962年,通用电气公司的尼克·何伦亚克(Nick HolonyakJr.)开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。LED是英文light emitting diode(发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,即固体封装,所以能起到保护内部芯线的作用,所以LED的抗震性能好。
最初LED用作仪器仪表的指示光源,后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用,产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例,在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源,它产生2000流明的白光。经红色滤光片后,光损失90%,只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中,Lumileds公司采用了18个红色LED光源,包括电路损失在内,共耗电14瓦,即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。
分类
MB芯片
定义:MB芯片﹕Metal Bonding(金属粘着)芯片﹔该芯片属于UEC的专利产品
特点:
1、采用高散热系数的材料---Si作为衬底﹐散热容易.
Thermal Conductivity
GaAs:46W/m-K
GaP:77W/m-K
Si:125~150 W/m-K
Cupper:300~400W/m-k
SiC:490W/m-K
2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收.
3、导电的Si衬底取代GaAs衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍),更适应于高驱动电流领域。
4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热
5、尺寸可加大﹐应用于High power领域﹐eg:42mil MB
GB芯片
定义:GB芯片﹕Glue Bonding(粘着结合)芯片﹔该芯片属于UEC的专利产品
特点:
1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS(Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。
2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图。
3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。
4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极TS芯片定义和特点。
定义:TS芯片﹕transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP的专利产品。
特点:
1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED
2.信赖性卓越
3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高
4.应用广泛
定义:AS芯片﹕Absorbable structure(吸收衬底)芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大.大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg:712SOL-VR,709SOL-VR,712SYM-VR,709SYM-VR等
特点:
1.四元芯片﹐采用MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮。
2.信赖性优良
3.应用广泛
芯片种类
1、LPE:Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法)GaP/GaP
2、VPE:Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法)GaAsP/GaAs
3、MOVPE:Metal Organic Vapor Phase Epitaxy(有机金属气相磊晶法)AlGaInP、GaN
4、SH:GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
5、DH:GaAlAs/GaAs Double Heterostructure,(双异型结构)GaAlAs/GaAs
6、DDH:GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure,(双异型结构)GaAlAs/GaAlAs
重要参数
1、正向工作电流If
它是指发光二极体正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。
2、正向工作电压VF
参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极体正向工作电压VF在1.4~3V。在外界温度升高时,VF将下降。
3、V-I特性
发光二极体的电压与电流的关系,在正向电压正小于某一值(叫阈值)时,电流极小,不发光。当电压超过某一值后,正向电流随电压迅速增加,发光。
4、发光强度IV
发光二极体的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时,则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般LED的发光二极管强度小,所以发光强度常用烛光(坎德拉,mcd)作单位。
5、LED的发光角度
-90°- +90°
6、光谱半宽度Δλ
它表示发光管的光谱纯度。
7、半值角θ1/2和视角
θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。
8、全形
根据LED发光立体角换算出的角度,也叫平面角。
9、视角
指LED发光的最大角度,根据视角不同,应用也不同,也叫光强角。
10、半形
法向0°与最大发光强度值/2之间的夹角。严格上来说,是最大发光强度值与最大发光强度值/2所对应的夹角。LED的封装技术导致最大发光角度并不是法向0°的光强值,引入偏差角,指得是最大发光强度对应的角度与法向0°之间的夹角。
11、最大正向直流电流IFm
允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极体。
12、最大反向电压VRm
所允许加的最大反向电压即击穿电压。超过此值,发光二极体可能被击穿损坏。
13、工作环境topm
发光二极体可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二极体将不能正常工作,效率大大降低。
14、允许功耗Pm
允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。
芯片尺寸
大功率LED芯片有尺寸为38*38mil,40*40mil,45*45mil等三种当然芯片尺寸是可以订制的,这只是一般常见的规格。mil是尺寸单位,一个mil是千分之一英寸。40mil差不多是1毫米。38mil,40mil,45mil都是1W大功率芯片的常用尺寸规格。理论上来说,芯片越大,能承受的电流及功率就越大。不过芯片材质及制程也是影响芯片功率大小的主要因素。例如CREE40mil的芯片能承受1W到3W的功率,其他厂牌同样大小的芯片,最多能承受到2W。
发光亮度
一般亮度:R(红色GaAsP 655nm)、H(高红GaP 697nm)、G(绿色GaP 565nm)、Y(黄色GaAsP/GaP 585nm)、E(桔色GaAsP/GaP 635nm)等;
高亮度:VG(较亮绿色GaP 565nm)、VY(较亮黄色GaAsP/ GaP 585nm)SR(较亮红色GaAlAS 660nm);
超高亮度:UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。
二元晶片(磷﹑镓):H﹑G等;
三元晶片(磷﹑镓﹑砷):SR(较亮红色GaAlAS 660nm)、HR(超亮红色GaAlAs 660nm)、UR(最亮红色GaAlAs 660nm)等;
四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟):SRF(较亮红色AlGalnP)、HRF(超亮红色AlGalnP)、URF(最亮红色AlGalnP 630nm)、VY(较亮黄色GaAsP/GaP 585nm)、HY(超亮黄色AlGalnP 595nm)、UY(最亮黄色AlGalnP 595nm)、UYS(最亮黄色AlGalnP 587nm)、UE(最亮桔色AlGalnP 620nm)、HE(超亮桔色AlGalnP 620nm)、UG(最亮绿色AIGalnP 574nm) LED等。
芯片衬底
对于制作LED芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和LED器件的要求进行选择。三种衬底材料:蓝宝石(Al2O3)、硅(Si)、碳化硅(SiC)。
蓝宝石的优点:
- 生产技术成熟、器件质量较好;
2.稳定性很好,能够运用在高温生长过程中;
3.机械强度高,易于处理和清洗。
蓝宝石的不足:
- 晶格失配和热应力失配,会在外延层中产生大量缺陷;
2.蓝宝石是一种绝缘体,在上表面制作两个电极,造成了有效发光面积减少;
3.增加了光刻、蚀刻工艺过程,制作成本高。
硅是热的良导体,所以器件的导热性能可以明显改善,从而延长了器件的寿命。
碳化硅衬底(CREE公司专门采用SiC材料作为衬底)的LED芯片,电极是L型电极,电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好,有利于做成面积较大的大功率器件。优点:碳化硅的导热系数为490W/m·K,要比蓝宝石衬底高出10倍以上。不足:碳化硅制造成本较高,实现其商业化还需要降低相应的成本。
如何评判
led芯片的价格:一般情况系下方片的价格要高于圆片的价格,大功率led芯片肯定要高于小功率led芯片,进口的要高于国产的,进口的来源价格从日本、美国、台湾依次减低。
led芯片的质量:评价led芯片的质量主要从裸晶亮度、衰减度两个主要标准来衡量,在封装过程中主要从led芯片封装的成品率来计算。
日常使用
红灯:9mil正规方片,(纯红)波长:620-625nm,上下60°、左右120°,亮度高达1000-1200mcd;
绿灯:12mil正规方片,(纯绿)波长:520-525nm,上下60°、左右120°,亮度高达2000-3000mcd;
性能:具有亮度高、抗静电能力强、抗衰减能力强、一致性好等特点,是制作led招牌、led发光字的最佳选择。
制造流程
总的来说,LED制作流程分为两大部分:
首先在衬底上制作氮化镓(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例,从而控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的设备。
然后是对LED PN结的两个电极进行加工,电极加工也是制作LED芯片的关键工序,包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨;然后对LED毛片进行划片、测试和分选,就可以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不够干净,蒸镀系统不正常,会导致蒸镀出来的金属层(指蚀刻后的电极)会有脱落,金属层外观变色,金泡等异常。
蒸镀过程中有时需用弹簧夹固定芯片,因此会产生夹痕(在目检必须挑除)。黄光作业内容包括烘烤、上光阻、照相曝光、显影等,若显影不完全及光罩有破洞会有发光区残多出金属。
芯片在前段工艺中,各项工艺如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都必须使用镊子及花篮、载具等,因此会有芯片电极刮伤情形发生。
制作工艺
1.LED芯片检验
镜检:材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑lockhill芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整。
2.LED扩片
由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm),不利于后工序的操作。采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张,使LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张,但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。
3.LED点胶
在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。对于GaAs、SiC导电衬底,具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片,采用绝缘胶来固定芯片。
工艺难点在于点胶量的控制,在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求,银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。
4.LED备胶
和点胶相反,备胶是用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上,然后把背部带银胶的LED安装在LED支架上。备胶的效率远高于点胶,但不是所有产品均适用备胶工艺。
5.LED手工刺片
将扩张后LED芯片(备胶或未备胶)安置在刺片台的夹具上,LED支架放在夹具底下,在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上。手工刺片和自动装架相比有一个好处,便于随时更换不同的芯片,适用于需要安装多种芯片的产品。
6.LED自动装架
自动装架其实是结合了沾胶(点胶)和安装芯片两大步骤,先在LED支架上点上银胶(绝缘胶),然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置,再安置在相应的支架位置上。自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程,同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴,防止对LED芯片表面的损伤,特别是蓝、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。
7.LED烧结
烧结的目的是使银胶固化,烧结要求对温度进行监控,防止批次性不良。银胶烧结的温度一般控制在150℃,烧结时间2小时。根据实际情况可以调整到170℃,1小时。绝缘胶一般150℃,1小时。
银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔2小时(或1小时)打开更换烧结的产品,中间不得随意打开。烧结烘箱不得再其他用途,防止污染。
8.LED压焊
压焊的目的是将电极引到LED芯片上,完成产品内外引线的连接工作。
LED的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。铝丝压焊的过程为先在LED芯片电极上压上第一点,再将铝丝拉到相应的支架上方,压上第二点后扯断铝丝。金丝球焊过程则在压第一点前先烧个球,其余过程类似。
压焊是LED封装技术中的关键环节,工艺上主要需要监控的是压焊金丝(铝丝)拱丝形状,焊点形状,拉力。
9.LED封胶
LED的封装主要有点胶、灌封、模压三种。基本上工艺控制的难点是气泡、多缺料、黑点。设计上主要是对材料的选型,选用结合良好的环氧和支架。(一般的LED无法通过气密性试验)
LED点胶TOP-LED和Side-LED适用点胶封装。手动点胶封装对操作水平要求很高(特别是白光LED),主要难点是对点胶量的控制,因为环氧在使用过程中会变稠。白光LED的点胶还存在荧光粉沉淀导致出光色差的问题。
LED灌胶封装Lamp-LED的封装采用灌封的形式。灌封的过程是先在LED成型模腔内注入液态环氧,然后插入压焊好的LED支架,放入烘箱让环氧固化后,将LED从模腔中脱出即成型。
LED模压封装将压焊好的LED支架放入模具中,将上下两副模具用液压机合模并抽真空,将固态环氧放入注胶道的入口加热用液压顶杆压入模具胶道中,环氧顺着胶道进入各个LED成型槽中并固化。
10.LED固化与后固化
固化是指封装环氧的固化,一般环氧固化条件在135℃,1小时。模压封装一般在150℃,4分钟。后固化是为了让环氧充分固化,同时对LED进行热老化。后固化对于提高环氧与支架(PCB)的粘接强度非常重要。一般条件为120℃,4小时。
11.LED切筋和划片
由于LED在生产中是连在一起的(不是单个),Lamp封装LED采用切筋切断LED支架的连筋。SMD-LED则是在一片PCB板上,需要划片机来完成分离工作。
12.LED测试
测试LED的光电参数、检验外形尺寸,同时根据客户要求对LED产品进行分选。
计数方法
LED芯片因为大小一般都在大小:小功率的芯片一般分为8mil、9mil、12mil、14mil等,跟头发细一样细,以前人工计数时候非常辛苦,而且准确率极底,2012年厦门好景科技有开发一套专门针对LED芯片计数的软件,仪器整合了高清晰度数字技术来鉴别最困难的计数问题,LED芯片专用计数仪设备是由百万象素工业专用的CCD和百万象素镜头的硬件,整合了高清晰度图像数字技术的软件组成的,主要用来计算出LED芯片的数量。该LED芯片专用计数仪通过高速的图像获取及视觉识别处理,准确、快速地计数LED芯片,操作简单,使用方便。
该设备装有新型的照明配置,因照明上的均匀一致性及应用百万象素的CCD及镜头,确保了LED芯片成像的清晰度,配合高技术的计数软件,从而保证了计数的准确度。同时软件会将每次计数的结果储存在数据库中,方便打印与追溯对比分析。
技术参数:
1.成像特性
镜头:12mm、F1.8高保真光学镜头
CCD规格:300万像素/500万像素,真彩
图像拍摄:手动对焦,可专业级地精细成像LED芯片
图像调整:手动调整亮度;自动调整对比度、饱和度
2.计数特性:
快速的计算出LED芯片总数,可根据需要折扣数量,并显示和输出计数结果
可计数≥5mil(或0.127mm)不透明LED芯片
可计数双电极透明的LED芯片
计数速度:2000~8000个LED芯片/s的统计速度,无需扫描即成像即计数
简便易用:真正一键式操作,鼠标一点,结果即现。软件界面美观,操作简便。
参数释疑
发光强度IV:
发光二极体的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时,则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般LED的发光二极管强度小,所以发光强度常用烛光(坎德拉, mcd)作单位。
LED的发光角度:
-90°- +90°
光谱半宽度Δλ:
它表示发光管的光谱纯度。
半值角θ1/2和视角:
θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。
全形:
根据LED发光立体角换算出的角度,也叫平面角。
视角:
指LED发光的最大角度,根据视角不同,应用也不同,也叫光强角。
半形:
法向0°与最大发光强度值/2之间的夹角。严格上来说,是最大发光强度值与最大发光强度值/2所对应的夹角。LED的封装技术导致最大发光角度并不是法向0°的光强值,引入偏差角,指得是最大发光强度对应的角度与法向0°之间的夹角。
最大正向直流电流IFm:
允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极体。
允许功耗Pm:
允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏LED芯片及器件的分选测试
LED的分选有两种方法:一是以芯片为基础的测试分选,二是对封装好的LED进行测试分选。
(1)芯片的测试分选
LED芯片分选难度很大,主要原因是LED芯片尺寸一般都很小,从9mil到14mil(0.22-0.35微米)。这样小的芯片需要微探针才能够完成测试,分选过程需要精确的机械和图像识别系统,这使得设备的造价变得很高,而且测试速度受到限制。如果按照每月25天计算,每一台分选机的产能为每月5KK。
从根本上解决芯片测试分选瓶颈问题的关键是改善外延片均匀性。如果一片外延片波长分布在2nm之内,亮度的变化在+15%之内,则可以将这个片子上的所有芯片归为一档(Bin),只要通过测试把不合格的芯片去除即可,将大大增加芯片的产能和降低芯片的成本。在均匀性不是很好的情况下,也可以用测试并把"不合格产品较多"的芯片区域用喷墨涂抹的方式处理掉,从而快速地得到想要的"合格"芯片,但这样做的成本太高,会把很多符合其他客房要求的芯片都做为不合格证的废品处理,最后核算出的芯片成本可能是市场无法接受的水平。
(2)LED的测试分选
封装后的LED可以按照波长、发光强度、发光角度以及工作电压等进行测试分选。其结果是把LED分成很多档(Bin)和类别,然后测试分选机会自动地根据设定的测试标准把LED分装在不同的Bin盒内。由于人们对于LED的要求越来越高,早期的分选机是32Bin,后来增加到64Bin,分Bin的LED技术指标仍然无法满足生产和市场的需求。
LED测试分选机是在一个特定的工作台电流下(如20mA),对LED进行测试,一般还会做一个反向电压值的测试。如果按照每月25天,每天20小时的工作时间计算,每一台分选机的产能为每月9KK。
大型显示屏或其他高档应用客户,对LED的质量要求较高。特别是在波长与亮度一致性的要求上很严格。假如LED封装厂在芯片采购时没有提出严格的要求,则这些封装厂在大量的封装后会发现,封装好的LED中只有很少数量的产品能满足某一客户的要求,其余大部分将变成仓库里的存货。这种情形迫使LED封装厂在采购LED芯片时提出严格的要求,特别是波长、亮度和工作台电压的指标;比如,过去对波长要求
是+2nm,已提出+0.5nm的要求。这样对于芯片厂就产生了巨大的压力,在芯片销售前必须进行严格的分选。
从以上关于LED与LED芯片分选取的分析中可以看出,比较经济的做法是对LED进行测试分选。但是由于LED的种类繁多,有不同的形式,不现的形状,不同的尺寸,不同的发光角度,不同的客户要求,不同的应用要求,这使用权得完全通过LED测试分选取进行产品的分选变得很难操作。所以问题的关键又回到MOCVD的外延工艺过程,如何生长出所需波长及亮度的LED外延片是降低成本的关键点,这个问题不解决,LED的产能及成本仍将得不到完全解决。但在外延片的均匀度得到控制以前,比较行之有效的方法是解决快速低成本的芯片分选问题。
常遇问题
LED芯片使用常遇到的问题分析:别的封装进程中也能够形成正向压下降,首要缘由有银胶固化不充分,支架或芯片电极沾污等形成触摸电阻大或触摸电阻不稳定。
1.正向电压下降暗光
A:一种是电极与发光资料为欧姆触摸,但触摸电阻大,首要由资料衬底低浓度或电极残缺所形成的。
B:一种是电极与资料为非欧姆触摸,首要发生在芯片电极制备进程中蒸腾第一层电极时的挤压印或夹印,散布方位。
正向压下降的芯片在固定电压测验时,经过芯片的电流小,然后体现暗点,还有一种暗光表象是芯片自身发光功率低,正向压降正常。
2.难压焊:(首要有打不粘,电极掉落,打穿电极)
A:打不粘:首要因为电极外表氧化或有胶
B:有与发光资料触摸不牢和加厚焊线层不牢,其间以加厚层掉落为主。
C:打穿电极:通常与芯片资料有关,资料脆且强度不高的资料易打穿电极,通常GAALAS资料(如高红,红外芯片)较GAP资料易打穿电极,
D:压焊调试应从焊接温度,超声波功率,超声时刻,压力,金球巨细,支架定位等进行调整。
3.发光色彩区别:
A:同一张芯片发光色彩有显着区别首要是因为外延片资料疑问,ALGAINP四元素资料选用量子布局很薄,成长是很难确保各区域组分共同。(组分决议禁带宽度,禁带宽度决议波长)。
B:GAP黄绿芯片,发光波长不会有很大误差,可是因为人眼对这个波段色彩灵敏,很简单查出偏黄,偏绿。因为波长是外延片资料决议的,区域越小,呈现色彩误差概念越小,故在M/T作业中有附近选取法。
C:GAP赤色芯片有的发光色彩是偏橙黄色,这是因为其发光机理为直接跃进。受杂质浓度影响,电流密度加大时,易发生杂质能级偏移和发光饱满,发光是开端变为橙黄色。
4.闸流体效应:
A:是发光二极管在正常电压下无法导通,当电压加高到必定程度,电流发生骤变。
B:发生闸流体表象缘由是发光资料外延片成长时呈现了反向夹层,有此表象的LED在IF=20MA时测验的正向压降有躲藏性,在运用进程是出于南北极电压不行大,体现为不亮,可用测验信息仪器从晶体管图示仪测验曲线,也能够经过小电流IF=10UA下的正向压降来发现,小电流下的正向压降显着偏大,则能够是该疑问所形成的。
5.反向漏电:
A:缘由:外延资料,芯片制造,器材封装,测验通常5V下反向漏电流为10UA,也能够固定反向电流下测验反向电压。
B:不一样类型的LED反向特性相差大:普绿,普黄芯片反向击穿可到达一百多伏,而普芯片则在十几二十伏之间。
C:外延形成的反向漏电首要由PN结内部布局缺点所形成的,芯片制造进程中旁边面腐蚀不行或有银胶丝沾附在测面,严禁用有机溶液分配银胶。以避免银胶经过毛细表象爬到结区。
厂商介绍
中国台湾芯片厂商
晶元光电(Epistar)简称:ES、(联诠、元坤,连勇,国联),广镓光电(Huga),新世纪(Genesis Photonics),华上(Arima Optoelectronics)简称:AOC,泰谷光电(Tekcore),奇力,钜新,光宏,晶发,视创,洲磊,联胜(HPO),汉光(HL),光磊(ED),鼎元(Tyntek)简称:TK,曜富洲技TC,灿圆(Formosa Epitaxy),国通,联鼎,全新光电(VPEC)等。
华兴(Ledtech Electronics)、东贝(Unity Opto Technology)、光鼎(Para Light Electronics)、亿光(Everlight Electronics)、佰鸿(Bright LED Electronics)、今台(Kingbright)、菱生精密(Lingsen Precision Industries)、立基(Ligitek Electronics)、光宝(Lite-On Technology)、宏齐(HARVATEK)等。
中国大陆芯片厂商
三安光电简称(S)、上海蓝光(Epilight)简称(E)、士兰明芯(SL)、大连路美简称(LM)、迪源光电、华灿光电、南昌欣磊、上海金桥大晨、河北立德、河北汇能、深圳奥伦德、深圳世纪晶源、广州普光、扬州华夏集成、甘肃新天电公司、东莞福地电子材料、清芯光电、晶能光电、中微光电子、干照光电、晶达光电、深圳方大,山东华光、上海蓝宝等。
国外知名芯片厂商
CREE,惠普(HP),日亚化学(Nichia),丰田合成,大阳日酸,东芝、昭和电工(SDK),Lumileds,旭明(Smileds),Genelite,欧司朗(Osram),GeLcore,首尔半导体等,普瑞,韩国安萤(Epivalley)等。