基本概念
通常，普通高壓瓷軸的表面電阻率在104歐姆以上，而半導體釉的表面電阻率卻為10~10°歐姆，即界于絕緣體與半導體之間，故稱為半導體釉。半導體釉是從四十年代開始由西歐發展起來的。,早期采用以鐵酸鋇、氧化鐵和氧化钛為主要成分的鐵型釉或鐵一钛型釉，因其負電阻溫度系數較大，耐電化學腐蝕性能差，所以僅用來塗在瓷絕緣子電場集中的部位，以改善其電場分布，提高産生電綠或局部電弧的電壓，從而防止由此而引起的無線電幹擾。這種局部塗施的半導體釉稱為“邊緣釉"。
邊緣釉分類
大緻可分為:氧化鐵-钛型、氧化钛型、氧化銻-錫型、二矽化钼型四種。
邊緣釉的作用
均壓作用
普通絕緣子的電壓分布是很不均勻的大體上，電壓沿洩漏距離方向上的分布呈U字形，這種不均勻性常常是在污秒潮濕條件下引起局部電弧，進而導緻污閃事故的基本原因。半導體釉絕緣子，由于其表面電阻比普通高壓瓷釉的低幾個數量級，其電壓基本上按電阻分布，因而與洩漏距離幾乎呈線性關系，所以絕緣子的每一部分幾乎在等壓的條件下工作，故有效地防止了局部電弧的産生和發展。
烘幹作用
在運行中，釉層持續地通過幾毫安洩漏電流，由此産生熱效應，可以使絕緣子的溫度比環境溫度高35℃,因而可阻止露、霧的凝聚，或烘幹潮濕。
消除局部放電
消除了由于幹燥帶的形成而引起的局部放電普通絕緣子在污穢潮濕條件下常常産生環狀或“帶狀”幹燥區，這些幹燥區具有較大的壓降，以緻形成局部電弧。由于電弧弧足的加熱，使電弧延伸，最終發展成閃絡。
