工作原理
可控矽是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如圖所示。
當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀态。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發信号，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。
因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控矽使飽和導通。由于BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控矽導通後，即使控制極G的電流消失了，可控矽仍然能夠維持導通狀态，由于觸發信号隻起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控矽是不可關斷的。
發展
雙向晶閘管的發展現狀在我國精管行業發展很快。國内分立器件廠商的主要産品以矽基二極管、三極管和晶閘管為主，國際功率半導體器件的主流主品功率MOS器件隻是近年來才有所涉及，且主要為平面栅結構的VDMOS器件，IGBT還處于研發階段。寬禁帶半導體器件主要是以微波功率器件(SiCMESFET和GaNHEMT)為主，尚未有針對市場應用的寬禁帶半導體産品器件的産品研發。
産品分類
一、普通二極管、三極管國内的自給率已經很高，但是在高檔的功率二極管，大部分還依賴進口，國内的産品性能還有不小的差距。
二、ABB晶閘管類器件産業成熟，種類齊全，普通晶閘管、快速晶閘管、超大功率晶閘管、光控晶閘管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、高頻晶閘管都能生産。中國南車集團當前可以生産6英寸、4000A、8500V超大功率晶閘管，居世界領先水平，已經在我國的機車上大量使用，為我國的鐵路現代化建設做出了貢獻。
三、在功率管領域，逐步有國内的企業技術水平上升到MOS工藝，MOSFET的産業有一定規模，進入21世紀後，這類器件的産品已批量進入市場，幾十安培、200V的器件在民用産品上獲得了廣泛應用，進口替代已然開始。
四、IGBT、FRD（快恢複二極管）已經有所突破，FRD初見規模。IGBT從封裝起步向芯片設計制造發展，從PT結構向NPT發展，溝槽工藝正在開發中。IGBT産品進入中試階段，
産業鍊
一、設計：國内IGBT還處于研制階段，還沒有商品化的IGBT投入市場，我國IGBT芯片的産業化道路比較漫長。目前國内的民營和海歸人士設立的公司已經研發出了低端的IGBT産品，如常州宏微、嘉興斯達。南車集團就不說了。
二、制造：IGBT對于技術要求較高，國内企業還沒有從事IGBT生産。考慮到IP保護以及技術因素的限制，外資IDM廠商也沒有在國内進行IGBT晶圓制造和封裝的代工。華虹NEC和成芯的8寸線、華潤上華和深圳方正的6寸線均可提供功率器件的代工服務。
三、封裝：我國隻有少數企業從事中小功率IGBT的封裝，而且尚未形成規模化生産，在IGBT芯片的産業化以及大功率IGBT封裝領域的技術更是一片空白。
變化
一、BCD工藝已從無到有，從低壓向高壓發展，從矽基向SOI基發展。
二、從封裝起步向芯片設計制造發展，從PT結構向NPT發展，溝槽工藝正在開發中。
分類
電流
200到800A
電壓
100到2000V
尺寸
一：平闆式
二：螺栓式
