主要特點
SDRAM曾經是長時間使用的主流内存，從430TX芯片組到845芯片組都支持SDRAM。但随着DDRSDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市場。内存一般采用半導體存儲單元，包括随機存儲器（RAM），隻讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。隻不過因為RAM是其中最重要的存儲器。
S（synchronous）DRAM同步動态随機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的内存。SDRAM将CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個時鐘脈沖的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO内存提高50%。
DDR（DOUBLEDATARATE）RAM：SDRAM的更新換代産品，他允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。
SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動态随機存儲器）的簡稱，是前幾年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作電壓，帶寬64位，SDRAM将CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，與EDO内存相比速度能提高50％。
SDRAM基于雙存儲體結構，内含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲體或陣列訪問數據時，另一個就已為讀寫數據做好了準備，通過這兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡上的顯存方面也有廣泛應用。SDRAM曾經是長時間使用的主流内存，從430TX芯片組到845芯片組都支持SDRAM。但随着DDRSDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市場。
區别
DDR2與DDR的區别與DDR相比，DDR2最主要的改進是在内存模塊速度相同的情況下，可以提供相當于DDR内存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設備上高效率使用兩個DRAM核心來實現的。作為對比，在每個設備上DDR内存隻能夠使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2内存上仍然隻有一個DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中處理4個數據而不是兩個數據。
與雙倍速運行的數據緩沖相結合，DDR2内存實現了在每個時鐘周期處理多達4bit的數據，比傳統DDR内存可以處理的2bit數據高了一倍。DDR2内存另一個改進之處在于，它采用FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式。
然而，盡管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主闆才能搭配DDR2内存，因為DDR2的物理規格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣，DDR2的針腳數量為240針，而DDR内存為184針；其次，DDR2内存的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。
DDR2（DoubleDataRate2）SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代内存技術标準，它與上一代DDR内存技術标準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2内存卻擁有兩倍于上一代DDR内存預讀取能力（即4bit數據預讀取）。換句話說，DDR2内存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，并且能夠以内部控制總線4倍的速度運行。
此外，由于DDR2标準規定所有DDR2内存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2内存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展曆程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高内存的工作速度；随着Intel最新處理器技術的發展，前端總線對内存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2内存将是大勢所趨。
技術進展
自IntelCeleron系列以及AMDK6處理器以及相關的主闆芯片組推出後，EDODRAM内存性能再也無法滿足需要了，内存技術必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構的需求，此時内存開始進入比較經典的SDRAM時代。
第一代SDRAM内存為PC66規範，但很快由于Intel和AMD的頻率之争将CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66内存很快就被PC100内存取代，接着133MHz外頻的PIII以及K7時代的來臨，PC133規範也以相同的方式進一步提升SDRAM的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM的帶寬為64bit，正好對應CPU的64bit數據總線寬度，因此它隻需要一條内存便可工作，便捷性進一步提高。在性能方面，由于其輸入輸出信号保持與系統外頻同步，因此速度明顯超越EDO内存。
不可否認的是，SDRAM内存由早期的66MHz，發展後來的100MHz、133MHz，盡管沒能徹底解決内存帶寬的瓶頸問題，但此時CPU超頻已經成為DIY用戶永恒的話題，所以不少用戶将品牌好的PC100品牌内存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場上出現了一些PC150、PC166規範的内存。
盡管SDRAMPC133内存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經開始着手最新的Pentium4計劃，所以SDRAMPC133内存不能滿足日後的發展需求，此時，Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus聯合在PC市場推廣RambusDRAM内存（稱為RDRAM内存）。與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡單内存架構，基于一種類RISC(ReducedInstructionSetComputing，精簡指令集計算機，這個理論可以減少數據的複雜性，使得整個系統性能得到提高。
在AMD與Intel的競争中，這個時候是屬于頻率競備時代，所以這個時候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium4處理器，因此RambusDRAM内存是被Intel看着是未來自己的競争殺手锏，RambusDRAM内存以高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數據量，因此内存帶寬相當出色，如PC10661066MHz32bits帶寬可達到4.2GByte/sec，RambusDRAM曾一度被認為是Pentium4的絕配。
盡管如此，RambusRDRAM内存生不逢時，後來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位，在當時，PC600、PC700的RambusRDRAM内存因出現Intel820芯片組“失誤事件”、PC800RambusRDRAM因成本過高而讓Pentium4平台高高在上，無法獲得大衆用戶擁戴，種種問題讓RambusRDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066規範RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR内存面前。
1、DDR時代
DDRSDRAM(DoubleDataRateSDRAM)簡稱DDR，也就是“雙倍速率SDRAM”的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本，DDR在時鐘信号上升沿與下降沿各傳輸一次數據，這使得DDR的數據傳輸速度為傳統SDRAM的兩倍。由于僅多采用了下降緣信号，因此并不會造成能耗增加。至于定址與控制信号則與傳統SDRAM相同，僅在時鐘上升緣傳輸。
DDR内存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進，最終彌補内存帶寬上的不足。第一代DDR200規範并沒有得到普及，第二代PC266DDRSRAM（133MHz時鐘×2倍數據傳輸=266MHz帶寬）是由PC133SDRAM内存所衍生出的，它将DDR内存帶向第一個高潮，目前還有不少賽揚和AMDK7處理器都在采用DDR266規格的内存，其後來的DDR333内存也屬于一種過度，而DDR400内存成為目前的主流平台選配，雙通道DDR400内存已經成為800FSB處理器搭配的基本标準，随後的DDR533規範則成為超頻用戶的選擇對象。
2、DDR2時代随着CPU性能不斷提高，我們對内存性能的要求也逐步升級。不可否認，緊緊依高頻率提升帶寬的DDR遲早會力不從心，因此JEDEC組織很早就開始醞釀DDR2标準，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台開始對DDR2内存的支持，所以DDR2内存将開始演義内存領域的今天。
DDR2能夠在100MHz的發信頻率基礎上提供每插腳最少400MB/s的帶寬，而且其接口将運行于1.8V電壓上，從而進一步降低發熱量，以便提高頻率。此外，DDR2将融入CAS、OCD、ODT等新性能指标和中斷指令，提升内存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2标準來看，針對PC等市場的DDR2内存将擁有400、533、667MHz等不同的時鐘頻率。
高端的DDR2内存将擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生産工藝，内存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。
内存技術在2005年将會毫無懸念，SDRAM為代表的靜态内存在五年内不會普及。QBM與RDRAM内存也難以挽回頹勢，因此DDR與DDR2共存時代将是鐵定的事實。
PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VIrXualChannelMemory)也是很重要的一員。VCM即“虛拟通道存儲器”，這也是目前大多數較新的芯片組支持的一種内存标準，VCM内存主要根據由NEC公司開發的一種“緩存式DRAM”技術制造而成，它集成了“通道緩存”，由高速寄存器進行配置和控制。
在實現高速數據傳輸的同時，VCM還維持着對傳統SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存稱為VCMSDRAM。VCM與SDRAM的差别在于不論是否經過CPU處理的數據，都可先交于VCM進行處理，而普通的SDRAM就隻能處理經CPU處理以後的數據，所以VCM要比SDRAM處理數據的速度快20%以上。目前可以支持VCMSDRAM的芯片組很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。
RDRAMIntel在推出：PC-100後，由于技術的發展，PC-100内存的800MB/s帶寬已經不能滿足需求，而PC-133的帶寬提高并不大(1064MB/s)，同樣不能滿足日後的發展需求。Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus公司聯合在PC市場推廣RambusDRAM(DirectRambusDRAM)。
Rambus使用400MHz的16bit總線，在一個時鐘周期内，可以在上升沿和下降沿的同時傳輸數據，這樣它的實際速度就為400MHz×2=800MHz，理論帶寬為(16bit×2×400MHz/8)1.6GB/s，相當于PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲存9bit字節，額外的一比特是屬于保留比特，可能以後會作為ECC(ErroI·CheckingandCorrection，錯誤檢查修正)校驗位。
Rambus的時鐘可以高達400MHz，而且僅使用了30條銅線連接内存控制器和RIMM(RambusIn-lineMemoryModules，Rambus内嵌式内存模塊)，減少銅線的長度和數量就可以降低數據傳輸中的電磁幹擾，從而快速地提高内存的工作頻率。不過在高頻率下，其發出的熱量肯定會增加，因此第一款Rambus内存甚至需要自帶散熱風扇。
3、DDR3時代
DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓，從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。DDR3目前最高能夠達到2000Mhz的速度，盡管目前最為快速的DDR2内存速度已經提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3内存模組仍會從1066Mhz起跳。
一、DDR3在DDR2基礎上采用的新型設計：1．8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM内核的頻率隻有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率隻有100MHz。2．采用點對點的拓樸架構，以減輕地址/命令與控制總線的負擔。3．采用100nm以下的生産工藝，将工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。
