蝕刻液

蝕刻液

銅版畫雕刻用原料
蝕刻液,是一種銅版畫雕刻用原料。蝕刻液溫度低于40℃,蝕刻速率很慢,而蝕刻速率過慢會增大側蝕量,影響蝕刻質量;溫度高于60℃,蝕刻速率明顯增大,但NH3的揮發量也大大增加,導緻污染環境并使蝕刻液中化學組分比例失調。通過侵蝕材料的特性來進行雕刻的一種液體。從理論上講,凡能氧化鋼而生成可溶性銅鹽的試劑,都可以用來蝕刻敷銅箔闆,但權衡對抗蝕層的破壞情況、蝕刻速度,蝕刻系數、溶銅容量、溶液再生及銅的回收、環境保護及經濟效果等方面。
    中文名:蝕刻液 外文名:Etching solution 别名: 注音:shí kè yè 性質:銅版畫雕刻用原料 種類舉例:酸性氯化銅、堿性氯化銅等 原料:氟化铵、硫酸

分類

目前已經使用的蝕刻液類型有六種類型:

酸性氯化銅

堿性氯化銅

氯化鐵

硫酸铵

硫酸/鉻酸

硫酸/雙氧水蝕刻液。

酸性氯化銅,工藝體系,根據添加不同的氧化劑又可細分為鹽酸氯化銅+空氣體系、鹽酸氯化銅+氯酸鈉體系、鹽酸氯化銅+雙氧水體系三種蝕刻工藝,在生産過程中通過補加鹽酸+空氣、鹽酸+氯酸鈉、鹽酸+雙氧水和少量的添加劑來實現線路闆闆的連續蝕刻生産。

特點

酸性氯化銅

1)蝕刻機理:Cu+CuCl2→Cu2Cl2

Cu2Cl2+4Cl→2(CuCl3)2

2)影響蝕刻速率的因素:影響蝕刻速率的主要因素是溶液中Cl-、Cu+、Cu2+的含量及蝕刻液的溫度等。

a、Cl-含量的影響:溶液中氯離子濃度與蝕刻速率有着密切的關系,當鹽酸濃度升高時,蝕刻時間減少。在含有6N的HCl溶液中蝕刻時間至少是在水溶液裡的1/3,并且能夠提高溶銅量。但是,鹽酸濃度不可超過6N,高于6N鹽酸的揮發量大且對設備腐蝕,并且随着酸濃度的增加,氯化銅的溶解度迅速降低。

添加Cl-可以提高蝕刻速率的原因是:在氯化銅溶液中發生銅的蝕刻反應時,生成的Cu2Cl2不易溶于水,則在銅的表面形成一層氯化亞銅膜,這種膜能夠阻止反應的進一步進行。過量的Cl-能與Cu2Cl2絡合形成可溶性的絡離子(CuCl3)2-,從銅表面上溶解下來,從而提高了蝕刻速率。

b、Cu+含量的影響:根據蝕刻反應機理,随着銅的蝕刻就會形成一價銅離子。較微量的Cu+就會顯着的降低蝕刻速率。所以在蝕刻操作中要保持Cu+的含量在一個低的範圍内。

c、Cu2+含量的影響:溶液中的Cu2+含量對蝕刻速率有一定的影響。一般情況下,溶液中Cu2+濃度低于2mol/L時,蝕刻速率較低;在2mol/L時速率較高。随着蝕刻反應的不斷進行,蝕刻液中銅的含量會逐漸增加。當銅含量增加到一定濃度時,蝕刻速率就會下降。為了保持蝕刻液具有恒定的蝕刻速率,必須把溶液中的含銅量控制在一定的範圍内。

d、溫度對蝕刻速率的影響:随着溫度的升高,蝕刻速率加快,但是溫度也不宜過高,一般控制在45~55℃範圍内。溫度太高會引起HCl過多地揮發,造成溶液組分比例失調。另外,如果蝕刻液溫度過高,某些抗蝕層會被損壞。

堿性氯化銅

1)蝕刻機理:CuCl2+4NH3→Cu(NH3)4Cl2

Cu(NH3)4Cl2+Cu→2Cu(NH3)2Cl

2)影響蝕刻速率的因素:蝕刻液中的Cu2+濃度、pH值、氯化铵濃度以及蝕刻液的溫度對蝕刻速率均有影響。

a、Cu2+離子濃度的影響:Cu2+是氧化劑,所以Cu2+的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關系表明:在0~82g/L時,蝕刻時間長;在82~120g/L時,蝕刻速率較低,且溶液控制困難;在135~165g/L時,蝕刻速率高且溶液穩定;在165~225g/L時,溶液不穩定,趨向于産生沉澱。

b、溶液pH值的影響:蝕刻液的pH值應保持在8.0~8.8之間,當pH值降到8.0以下時,一方面對金屬抗蝕層不利;另一方面,蝕刻液中的銅不能被完全絡合成銅氨絡離子,溶液要出現沉澱,并在槽底形成泥狀沉澱,這些泥狀沉澱能在加熱器上結成硬皮,可能損壞加熱器,還會堵塞泵和噴嘴,給蝕刻造成困難。如果溶液PH值過高,蝕刻液中氨過飽和,遊離氨釋放到大氣中,導緻環境污染。另一方面,溶液的PH值增大也會增大側蝕的程度,而影響蝕刻的精度。

c、氯化铵含量的影響:通過蝕刻再生的化學反應可以看出:[Cu(NH3)2]+的再生需要有過量的NH3和NH4Cl存在,如果溶液中缺乏NH4Cl,大量的[Cu(NH3)2]+得不到再生,蝕刻速率就會降低,以緻失去蝕刻能力。所以,氯化铵的含量對蝕刻速率影響很大。随着蝕刻的進行,要不斷補加氯化铵。

d、溫度的影響:蝕刻速率與溫度有很大關系,蝕刻速率随着溫度的升高而加快。蝕刻液溫度低于40℃,蝕刻速率很慢,而蝕刻速率過慢會增大側蝕量,影響蝕刻質量;溫度高于60℃,蝕刻速率明顯增大,但NH3的揮發量也大大增加,導緻污染環境并使蝕刻液中化學組分比例失調。故溫度一般控制在45~55℃為宜。

氯化鐵

1)蝕刻機理:FeCl3+Cu→FeCl2+CuCl

FeCl3+CuCl→FeCl2+CuCl2

CuCl2+Cu→2CuCl

2)影響蝕刻速率的因素:

a、Fe3+濃度的影響:Fe3+的濃度對蝕刻速率有很大的影響。蝕刻液中Fe3+濃度逐漸增加,對銅的蝕刻速率相應加快。當所含超過某一濃度時,由于溶液粘度增加,蝕刻速率反而有所降低。

b、蝕刻液溫度的影響:蝕刻液溫度越高,蝕刻速率越快,溫度的選擇應以不損壞抗蝕層為原則,一般在40~50℃為宜。

c、鹽酸添加量的影響:在蝕刻液中加入鹽酸,可以抑制FeCl3水解,并可提高蝕刻速率,尤其是當溶銅量達到37.4g/L後,鹽酸的作用更明顯。但是鹽酸的添加量要适當,酸度太高,會導緻液态光緻抗蝕劑塗層的破壞。

d、蝕刻液的攪拌:靜止蝕刻的效率和質量都是很差的,原因是在蝕刻過程中在闆面和溶液裡會有沉澱生成,而使溶液呈暗綠色,這些沉澱會影響進一步的蝕刻。

過硫酸铵

蝕刻機理:Cu+(NH4)2S2O8→CuSO4+(NH4)2SO4

(NH4)2S2O8+H2O→H2SO4+(NH4)2SO4+(O)

Cu+(O)+H2SO4→CuSO4+H2O

若添加銀作為催化劑,Ag++S2O82→2SO42-+Ag3+

Ag3++Cu→Cu2++Ag+

硫酸和鉻酸

蝕刻機理:CrO3+H2O→H2CrO4

2H2CrO4+3Cu→Cr2O3+3CuO+2H2O

Cr2O3+3CuO+6H2SO4→Cr2(SO4)3+3CuSO4+6H2O

總反應式為:2CrO3+3Cu+6H2SO4→Cr2(SO4)3+3CuSO4+6H2O

硫酸和雙氧水

蝕刻機理:H2O2→H2O+(O)

Cu+(O)→CuO

CuO+H2SO4→H2O+CuSO4

總反應式為:Cu+H2O2+H2SO4→2H2O+CuSO4

2、蝕刻工藝流程

應用酸性蝕刻液進行蝕刻的典型工藝流程如下:

印制正圖像的印制闆→檢查修版→堿性清洗(可選擇)→水洗→表面微蝕刻(可選擇)→水洗→檢查→酸性蝕刻→水洗→酸性清洗例如5%~10%HCl→水洗→吹幹→檢查→去膜→再生

應用堿性蝕刻液進行蝕刻的典型工藝流程如下:

鍍複金屬抗蝕層的印制闆→去膜→水洗→吹幹→檢查修版→堿性蝕刻→用不含Cu2+的補加液二次蝕刻→水洗→吹幹→檢查

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