阈值電壓(yuzhidianya)
阈值電壓(Threshold voltage):通常将傳輸特性曲線中輸出電壓随輸入電壓改變而急劇變化轉折區的中點對應的輸入電壓稱為阈值電壓.在描述不同的器件時具有不同的參數。
如MOS管，當器件由耗盡向反型轉變時，要經曆一個Si表面電子濃度等于空穴濃度的狀态。此時器件處于臨界導通狀态，器件的栅電壓定義為阈值電壓，它是MOSFET的重要參數之一。
如描述場發射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為阈值電壓。
MOS管的阈值電壓探讨
MOS管的阈值電壓等于backgate和source接在一起時形成channel需要的gate對source偏置電壓。如果gate對source偏置電壓小于阈值電壓，就沒有channel。一個特定的晶體管的阈值電壓和很多因素有關，包括backgate的摻雜，電介質的厚度，gate材質和電介質中的過剩電荷。每個因素都會被簡單的介紹下。Bakegate的摻雜是決定阈值電壓的主要因素。如果backgate
越重摻雜，它就越難反轉。要反轉就要更強的電場，阈值電壓就上升了。MOS管的backgate摻雜能通過在gate dielectric表面下的稍微的implant來調整。這種implant被叫做阈值調整implant（或Vt調整implant）。考慮一下Vt調整implant對NMOS管的影響。如果implant是由acceptors組成的，那麼矽表面就更難反轉，阈值電壓也升高了。如果implant是由donors組成的，那麼矽表面更容易反轉，阈值電壓下降。如果注入的donors夠多，矽表面實際上就反向摻雜了。這樣，在零偏置下就有了一薄層N型矽來形成永久的channel。随着GATE偏置電壓的上升，channel變得越來越強的反轉。随着GATE偏置電壓的下降，channel變的越來越弱，最後消失了。這種NMOS管的阈值電壓實際上是負的。這樣的晶體管稱為耗盡模式NMOS，或簡單的叫做耗盡型NMOS。相反，一個有正阈值電壓的的NMOS叫做增強模式NMOS，或增強型NMOS。絕大多數商業化生産的MOS管是增強型器件，但也有一些應用場合需要耗盡型器件。耗盡型PMOS也能被生産出來。這樣的器件的阈值電壓是正的。耗盡型的器件應該盡量的被明确的标識出來。不能靠阈值電壓的正負符号來判斷，因為通常許多工程師忽略阈值電壓的極性。因此，應該說“阈值電壓為0.7V的耗盡型PMOS”而不是阈值電壓為0.7V的PMOS。很多工程師會把後者解釋為阈值電壓為-0.7V的增強型PMOS而不是阈值電壓為+0.7V的耗盡型PMOS。明白無誤的指出是耗盡型器件可以省掉很多誤會的可能性。
繼續探讨阈值電壓，電介質在決定阈值電壓方面也起了重要作用。厚電介質由于比較厚而削弱了電場。所以厚電介質使阈值電壓上升，而薄電介質使阈值電壓下降。理論上，電介質成分也會影響電場強度。而實際上，幾乎所有的MOS管都用純二氧化矽作為gate dielectric。這種物質可以以極純的純度和均勻性生長成非常薄的薄膜；其他物質跟它都不能相提并論。因此其他電介質物質隻有很少的應用。（11 也有用高介電常數的物質比如氮化矽作為gate dielectric的器件。有些作者把所有的MOS類晶體管，包括非氧化物電介質，稱為insulated-gate field effect transistor（IGFET））
gate的物質成分對阈值電壓也有所影響。如上所述，當GATE和BACKGATE短接時，電場就出現在gate oxide上。這主要是因為GATE和BACKGATE物質之間的work function差值造成的。大多數實際應用的晶體管都用重摻雜的
多晶矽作為gate極。改變多晶矽的摻雜程度就能控制它的work function。
GATE OXIDE或氧化物和矽表面之間界面上過剩的電荷也可能影響阈值電壓。這些電荷中可能有離子化的雜質原子，捕獲的載流子，或結構缺陷。電介質或它表面捕獲的電荷會影響電場并進一步影響阈值電壓。如果被捕獲的電子随着時間，溫度或偏置電壓而變化，那麼阈值電壓也會跟着變化。
