簡介
江蘇東光微電子股份有限公司成立于1998年8月，位于國家高新技術産業開發區--中國宜興環保科技工業園，是國家火炬計劃重點高新技術企業，是國家四部委聯合認定的第一批國家鼓勵的集成電路企業。公司目前擁有廠房30000多平萬米，具備六條生産線用于集成電路産品及半導體功率器件研制及生産。公司注冊資本為8000萬元，公司采取垂直整合生産經營模式，自行完成産品設計、芯片制造、封裝測試、推廣銷售及售後服務。公司創建了“南京研究發展中心”擁有博士、碩士10人，從事産品的開發、設計工作。
公司是中國專業從事半導體器件、集成電路的開發、設計、制造、銷售專業廠商，是享受國家政策扶持的高新技術企業，系國内半導體分立器件和集成電路行業中通訊用防護功率器件、VDMOS等細分領域市場的重點企業。同時，憑借在技術自主創新、産品品質、成本控制、生産經營模式等領先地位，東光微電已成為國内功率型半導體分立器和集成電路生産的主要龍頭企業之一。 尤以功率分立器件産品見長，産品涵蓋四大系列：防護功率器件、VDMOS、可控矽、1300X等，産品廣泛應用于網絡通信設備、數碼電子、節能燈、家電、摩托車及汽車電子等領域。09年公司實現營業收入1.62億元，淨利潤2316萬元。
根據計劃，東光微電計劃在深交所發行約2700萬股，發行後總股本将達到1．07億股。公司董事長兼總經理沈建平持股2776萬股，發行前占公司總股本的34．7%，為公司實際控制人。公司100%控股子公司東晨電子，東晨電子主要從事半導體封裝業務。
東光微電本次IPO募集資金主要用于“半導體防護功率器件生産線項目、新型功率半導體器件生産線技改項目和半導體封裝生産線項目”等3個項目。
組織機構
行業背景
分立器件在半導體行業占比較小，約10%左右，而功率器件則是比重最大的一類分立器件，2008年占51.6%。國内的分立器件市場主要由國外廠商占據，2008年市場份額達到83.6%，進口替代空間非常巨大，但同時技術壁壘也較高。功率器件主要包括三類：整流器、晶閘管、功率三極管。
以MOSFET、IGBT為代表的功率三極管是發展速度最快、市場空間最大的産品，如08年MOSFET國内銷售達237億元，占比28.8%。
競争優勢：1）技術與研發優勢。公司不做代工，堅持自主創新并以IDM模式運營，在多項産品領域實現進口替代，如固體放電管、VDMOS等。
2）市場品牌優勢。公司以分立功率器件見長，在通訊用防護器件市場占有絕對優勢地位，市場占有率高達80%。
3）成本優勢。由于公司以IDM模式運營，并依靠公司設備的國産化來降低了産品的成本。
募投項目：本次發行募集資金拟投入3個方向：1）半導體防護功率器件生産線項目；2）新型功率半導體器件生産線技改項目；3）半導體封裝生産線項目。
投資建議：預計公司10年、11年攤薄後每股收益分别0.35元、0.50元，給予公司10年的動态市盈率為35-40倍，合理估值為12.40元-14.17元。
業務闆塊
1、防護類器件業務。防護器件是公司傳統優勢産品，尤其在國内通訊領域，固體放電管市場占有率達80%，是該領域的龍頭企業。2009年防護器件收入占比達32．92%，已成為公司穩定的收入來源，占有通訊領域防護器件市場的絕對優勢。公司生産的SA系列半導體固體放電管在國内程控交換機一級保護（即總配線架保安單元）方面，市場占有率常年居于第一位，占比達80%。目前，公司防護器件産品供不應求，2009 年防護器件的産能利用率已達到105．05%。
2、可控矽業務。2003年公司用國産設備，以優良的性價比成功将可控矽産品打入市場。在此之前，國内可控矽生産廠商多采用進口設備進行生産，而且大部分公司以OEM方式為國外廠商代工。2007年公司可控矽收入達到5368萬元，由于受退出摩托車領域等因素影響，可控矽收入在2008年和2009年略有下降。但2010年上半年新領域的放量使得收入已經恢複了增長，達到2466萬元。目前公司可控矽産品具有三十多種型号，主要應用于家用電器和小家電領域。另外從公司的毛利率來看，近年來有逐漸走高趨勢，反映了公司的産品結構調整趨勢。
3、VDMOS業務。2005年底，公司從奧地利微系統公司（AMS）引進一條新型功率半導體器件生産線，用于生産VDMOS、IGBT系列産品。目前公司在 VDMOS領域已經成功開發出18種型号的系列産品，IGBT産品已經送樣。公司VDMOS産品的收入從2008年的1949萬元增長到2009年的4162萬元，2010年上半年達到3361萬元。銷售收入的占比從13．43%上升到32．73%。而公司VDMOS的毛利率從2008年的－16．57%逐步增長到2010上半年的7．62%。目前公司VDMOS的客戶有一百多家，其中包括給戴爾、富士康、LG、松下、飛利浦、西門子等國際知名廠商配套的電源系列産品生産廠家。 2010年，公司還承擔了工信部的項目，對30A500V 的VDMOS進行研發和生産，該産品主要應用于水能、風能、太陽能蓄電等逆變電源領域。
4、1300X系列業務。2006年公司利用國産設備自主研發生産1300X系列産品，當年即銷售近3000萬隻，2008年銷量增長到1億隻。受金融危機以及競争加劇的影響，2009年減少到8659萬隻，2010年上半年為3930萬隻。收入規模由2008年高峰的3780萬元，下降到2010年上半年的1351萬元。目前公司1300X主要應用于節能燈市場。
由于1300X市場競争較充分，毛利率相比其他業務較低，2010年上半年為22%。未來公司将進行産品結構調整，從節能燈用1300X轉向開發工藝更複雜、毛利率更高的電源用1300X産品。在通訊類防護器件占據絕對優勢後，未來增長在于寬帶通訊保護、交換機二級防護和民用防護領域。可控矽領域調整産品結構，向高毛利的家電、小家電領域發展，例如吸塵器、豆漿機、節能冰箱。VDMOS産品目前供不應求，産能利用率提升迅速，主要覆蓋電腦電源、手機充電和照明領域。
企業理念
積聚人才為企業的根本，
一流品質為企業的關鍵，
危機感和不斷追求的精神為企業的永恒動力。
自信——是成功的第一要素。
新股申購策略報告
東光微電确定發行價為16.00元/股，按照發行後總股本與2009年度經會計師事務所審計的扣除非經常性損益前後孰低的淨利潤計算的市盈率為87.78倍。本次發行2700萬股，上網發行2160萬股，申購代碼：002504，發行日期：2010-11-08，中簽率公告日：2010-11-10，申購資金解凍日：2010-11-11。
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報告期，公司主要産品呈現持續增長的态勢，公司主營業務收入分别為11,048.41萬元、14,506.87萬元、16,211.22萬元和10,268.37萬元，2008年較2007年增長31.30%，2009年較2008年增長11.75%，2010年上半年更是達到曆史最好水平。近三年及一期，公司營業毛利額呈現增長态勢，營業毛利額分别為4,387.03萬元、4,529.79萬元、5,257.99萬元和3,332.45萬元，2008年較2007年增長3.25%，2009年較2008年增長16.08%。2008年毛利增長緩慢主要是受半導體市場環境的影響，半導體市場于2009年第四季度回暖，公司盈利能力迅速回升，2010年盈利能力進一步增強。
經公司2010年3月24日召開的2009年年度股東大會審議通過，公司本次拟向社會公衆公開發行人民币普通股2,700萬股。根據投資項目的輕重緩急，本次募集資金投資将用于以下項目：半導體防護功率器件生産線項目、新型功率半導體器件生産線技改項目和半導體封裝生産線項目。本次募集資金投資項目總投資額為18,082萬元，如本次募集資金不能滿足拟投資項目所需的資金要求，不足部分由公司通過銀行貸款及其它方式籌集，若本次募集資金超過投資項目所需資金，超過部分将用于補充公司流動資金。
根據公司公告，東光微電09年基本每股收益為0.29元，預計公司2010年每股收益為0.41元。電子元器件制造業上市公司2010年預測市盈率54.69倍。考慮到公司較好的成長性，認為公司合理估值區間為14.74-18.95元，離發行價有-7.88%-18.44%的空間。
參與本次網上申購的單一證券賬戶申購委托不少于500股，超過500股的必須是500股的整數倍，但不得超過21,500股。有利于資金規模較小的中小投資者進行申購。根據最近幾次小盤股的發行規模和網上申購中簽率測算，再考慮到超日太陽、大康牧業與東光微電同日發行造成資金上的沖突，預計東光微電的網上申購中簽率為0.619%左右。考慮到東光微電合理估值離發行價尚有-7.88%-18.44%的空間，同時考慮到近期新股破發現象較少，建議投資者參與申購。超日太陽、東光微電與大康牧業三隻新股同日發行，由于超日太陽發行規模較大，分倉可适當向超日太陽傾斜。
操作策略
細分行業龍頭
公司是國内半導體分立器件行業中防護功率器件、VDMOS 等領域細分市場的重要企業。主要産品涵蓋四大系列：防護功率器件系列産品、VDMOS 系列産品、可控矽系列産品和1300X 系列産品。産品廣泛應用于通信設備、網絡設備、數字電視、民用電路、摩托車、電動工具、家用電器、節能燈、消費電子、汽車電子、設備和儀表等領域。
功率器件領域的自主品牌廠商。公司在國内通訊領域防護器件市場占有絕對優勢，SA系列固體放電管市占率在80%以上。功率器件進口替代空間廣闊。國内功率器件領域前10名廠商全部為歐美及日本企業，市場占有率為39.7%，國内企業占比很小。而功率器件中增速最快的MOSFET和IGBT領域，基本處于外資壟斷狀态，前10名廠商占據60%市場。未來進口替代空間廣闊。
直銷策略和産業鍊一體化。公司依靠自己強大的銷售團隊，采取直銷模式。這使公司對客戶的前期産品設計需求，性能改進方面快速響應，有利于保持客戶的穩定性，還可以在公司新老産品之間互相促進。公司采取“設計-制造-封裝-銷售”的一體化模式，有利于樹立品牌、提高技術和控制風險。
細分産品發展迅速，潛力巨大。公司在通訊類防護器件占據絕對優勢後，未來增長在于寬帶通訊保護、交換機二級防護和民用防護領域。可控矽領域調整産品結構，向高毛利的家電、小家電領域發展，例如吸塵器、豆漿機、節能冰箱。VDMOS産品目前供不應求，産能利用率提升迅速，主要覆蓋電腦電源、手機充電和照明領域。
堅持發展自主品牌
公司堅持發展自主品牌，不做代工。中國電子企業很大部分都是在做代工而沒有自己的品牌。代工雖然看似風險小，投入小，不需要自己去開拓市場，容易迅速壯大。但是由于沒有品牌，缺乏市場定價能力，不利于企業長遠競争力的發展。而品牌開拓雖然痛苦而漫長，但其産品卻可以依靠品牌提升在市場中的地位。
公司自成立以來一直秉承“立民族志氣，創東光品牌”的經營理念，堅持走自有品牌路線，不做代工。由于很多産品下遊客戶是相同的，公司依靠東光這個牌子，用老産品帶新産品，迅速打開新産品市場。目前東光已經成為市場上具有影響力的專業功率器件品牌。
另外，公司“設計-制造-封裝-銷售”的一體化模式，相比單純的芯片銷售和封裝銷售模式，既有利于樹立品牌，又有利于提高技術能力。同時産業鍊一體化，上下遊利潤均可享受，抗風險能力更強。
募投項目實現規模擴大
公司募集資金投向三個項目：防護器件、VDMOS生産線擴産及新建一條封裝生産線。公司防護器件生産線産能利用率連續三年超過100%，公司2008年開始産出的VDMOS線産能利用率2010年9月已達82%.募投項目有望解決公司産能瓶頸，實現規模迅速擴大。
防護器件擴産項目鞏固公司在防護器件領域領先地位。防護功率器件是公司的主要優勢産品，随着公司新産品進入寬帶網絡領域，以及未來人們防護意識日益增強，公司産品向“大防護”的概念方向發展，即向網絡防護、家電防護、電力防護等方向發展，公司防護器件銷售預期能保持快速增長。
新型功率半導體器件項目将提高産能。該項目是現生産線技改項目，該線主要生産VDMOS和IGBT産品。VDMOS 目前是公司現階段重點發展的産品，公司也是目前少數量産VDMOS産品的國内企業之一，IGBT産品也已經送樣。預計項目實施将顯着提高該産線的産能利用率。
封裝項目垂直整合業務，顯著降低采購成本。該項目将新建一條半導體封裝生産線，由子公司東晨電子實施，項目建成後公司建成後能滿足公司自身封裝需求，提高公司整體盈利能力。
發展前景
中國電子企業很多都在做代工而沒有自己的品牌。東光微電自成立以來一直秉承“立民族志氣，創東光品牌”的經營理念，堅持走自有品牌路線，不做代工。公司依靠東光這個牌子，用老産品帶新産品，迅速打開新産品市場。目前東光已經成為市場上具有影響力的專業功率器件品牌。
公司依靠強大的銷售團隊堅持采取直銷模式。這使公司對客戶的前期産品設計需求、性能改進方面能夠快速響應，有利于保持客戶的穩定性。公司采取“設計、制造、封裝、銷售”的一體化模式，有利于樹立品牌、提高技術和控制風險。
公司負責人表示将抓住中國産業結構調整升級的有利時機，通過加大科研力度擴大生産規模、提升産品科技含量；通過技術創新和管理創新，努力開拓進口替代市場；充分發揮已有科研優勢，不斷優化生産工藝，做大、做強半導體器件和集成電路的生産業務，發展成為國内領先、國際一流的半導體行業綜合供應商。
東光微電是中國專業從事半導體器件、集成電路開發、設計、制造、銷售的專業廠商，是享受國家政策扶持的高新技術企業，系國内半導體分立器件和集成電路行業中通訊用防護功率器件、VDMOS等細分領域市場的重點企業。憑借自主創新，東光微電已成為國内功率型半導體分立器和集成電路生産的主要龍頭企業之一。
東光微電的主要産品涵蓋四大系列：防護功率器件、VDMOS、可控矽和1300X，産品廣泛應用于通信設備、網絡設備、數字電視、民用電路、摩托車、電動工具、家用電器、節能燈、消費電子、汽車電子、設備和儀表等領域。公司在國内通訊領域防護器件市場占有絕對優勢，SA系列固體放電管市場占有率在80%以上。
半導體行業是目前世界上發展最為迅速和競争最為激烈的産業之一，也是全球電子信息重要支柱産業。金融危機後，半導體行業呈高增長态勢。美國半導體行業協會（SIA）的數據顯示，2010年前8個月全球半導體收入達到1946億美元，同比增長了44．4%，創景氣新高。
中國半導體行業市場極其廣闊，分立器件增速明顯高于全球水平。2008年，中國MOSFET市場銷售額237．0億元，比2007 年增長10．9%，在功率器件中占比28．84%；2009年受經濟危機影響，銷售額235．7億元，比2008年下滑0．55%，在功率器件市場占比達30．2%，較2008年繼續上升。
大事記
1、公司設立于1998年8月31日。
2、2003年6月12日公司改制為股份有限公司，同時更名為“江蘇東光微電子股份有限公司”。
3、2005年12月中國——比利時直接股權投資基金（簡稱“中比基金”）作為新的投資者對公司進行增資。
4、2007年8月國家發展和改革委員會、信息産業部、海關總署、國家稅務總局聯合評定公司為“第一批國家鼓勵的集成電路企業”。
5、2008年9月江蘇省科學技術廳、江蘇省财政廳、江蘇省國家稅務局、江蘇省地方稅務局聯合評定公司為“高新技術企業”。
6、2009年12月公司設立全資子公司——宜興市東晨電子科技有限公司。
整體情況
一、公司整體情況n（一）報告期内情況n2011年，受歐美國家主權債務危機的嚴重打擊，全球經濟萎靡不振，加上全球電子行業受政策退出以及産能快速擴張影響，增幅明顯回落。中國電子産業在11年更是伴随着通脹壓力、勞動力成本上升、人民币快速升值等方方面面因素影響，使得公司發展未能像2010年實現高速增長。面對如此複雜形勢，公司堅持大力開發新品，迅速占領市場搶得市場先機，同時，對現有産品進行結構調整進一步完善和優化産品結構逐步向高端市場推進。公司堅持以市場為導向，着力轉方向、調結構，新設國際貿易部、新品市場拓展部，為擴大産品市場夯實基礎。n2011年，公司與東方電氣集團控股的江蘇華創光電科技有限公司簽訂技術轉讓合同，受讓“ＩＧＢＴ及ＦＷＤ芯片設計制造技術”，技術服務的期限為三年，公司向江蘇華創支付技術轉讓費400萬元。此次與江蘇華創的合作将進一步提升ＩＧＢＴ産品的檔次。推進高壓大功率絕緣栅雙極晶體管（ＩＧＢＴ）技術的發展，填補國内在高壓大功率電力電子器件方面的空白。n2011年，公司承擔國家工信部2011年度集成電路産業研究與開發專項，研發專項資金已經到位；公司自主研發的ＩＧＢＴ型ＬＥＤ開路保護用ＩＣ獲得第六屆（2011年度）半導體創新産品和技術獎。n2011年，公司通過高新技術企業複審，企業被評為“無錫市二〇一一年度集成電路制造五強企業”、“科技工作先進企業”、“江蘇省兩化融合示範企業”等。
